英特爾在制程數(shù)字上“認(rèn)慫”？或許更像是在嘲諷

此前，我們?nèi)咨钤鵀榇蠹医沂具^半導(dǎo)體行業(yè)在“制程數(shù)字”上幾乎集體造假的行為，包括三星、臺(tái)積電，以及格羅方德（Global Foundries，也就是原AMD半導(dǎo)體部門）在內(nèi)的幾家大廠，普遍都存在這一方面的問題。例如三星曾率先將改進(jìn)版的20nm制程“取名”為14nm，開了個(gè)糟糕的先例；又比如說，格羅方德當(dāng)初也曾在晶體管密度沒有任何增長(zhǎng)的情況下，將略有改進(jìn)的14nm工藝“重命名”為12nm，這顯然同樣也算是一種“制程造假”。

但當(dāng)時(shí)我們也曾指出，在其他同行紛紛玩“數(shù)字游戲”時(shí)，只有Intel在堅(jiān)守半導(dǎo)體制程數(shù)字的“良心”。而其這種不吹牛的制程數(shù)字標(biāo)識(shí)方式，客觀上也一度讓他們受到了不少不明真相吃瓜群眾的誤解。正因如此，當(dāng)Intel近日高調(diào)宣布啟用全新制程節(jié)點(diǎn)命名方式的時(shí)候，這一舉動(dòng)也隨即被許多業(yè)內(nèi)人士解釋為了“劣幣驅(qū)逐良幣”，看作是Intel對(duì)現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝命名不良風(fēng)氣的“認(rèn)慫”。

不可否認(rèn)的是，在公開資料中顯示，Intel此次的“新制程命名方式”的確是對(duì)他們此前數(shù)代制程工藝的“重命名”。

比如說即將在今年秋季登場(chǎng)的10nm Enhanced Super Fin制程，在新的命名體系里被改名為“Intel 7”。此后，2022年預(yù)定接班的7nm EUV制程，則被改名為了“Intel 4”。

到2023年，則將迎來被改名為“Intel 3”的5nm EUV制程。而到了2024年，Intel方面更是會(huì)迅速上馬被改名為“Intel 20A（A代表埃米，10埃米為1納米）”的3nm GAA制程。

如果單以數(shù)字來看，Intel此次的全新工藝命名方式的確看起來比（原本）實(shí)際的工藝節(jié)點(diǎn)要小。所以要說新的命名方式有沒有市場(chǎng)宣傳的考量、有沒有受到其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的不良影響，顯然是有的。

但如果我們更仔細(xì)地去分析Intel這場(chǎng)發(fā)布會(huì)中的細(xì)節(jié)就會(huì)發(fā)現(xiàn)，相比于其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，Intel依然還是太“老實(shí)”了。

首先，Intel雖然也是對(duì)制程進(jìn)行了“重命名”，但他們并沒有直接采用“7nm”、“4nm”這樣，將制程代號(hào)與真實(shí)制程寬度混為一談的命名方式。相反，其不僅在新的工藝體系中隱去了代表線寬的“nm”單位，還刻意加上了自家商標(biāo)以避免混淆。甚至他們還特意說明了“Intel 7”、“Intel 4”分別所對(duì)應(yīng)的真實(shí)工藝線寬是多少，而這則是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并沒有去做的事情。

其次，過去很多人看到Intel長(zhǎng)期“堅(jiān)持”以14nm命名自家的制程，都以為他們真的是一直沒有更新制程工藝。其實(shí)這是一個(gè)非常大的誤解，因?yàn)檫^去Intel的制程命名方式一直嚴(yán)格遵循著摩爾定律的約束。也就是說，只有當(dāng)新工藝所能實(shí)現(xiàn)的晶體管密度，恰好能達(dá)到上一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)數(shù)字兩倍甚至更高水平的時(shí)候，才會(huì)“更新”一次數(shù)字。

舉例而言，Intel去年在10代酷睿移動(dòng)版處理器上使用的第二代10nm制程，晶體管密度就達(dá)到了100.8MTr/mm²（百萬晶體管每平方毫米），是Intel初代14nm制程的2.7倍之多。而相比之下，臺(tái)積電的第二代7nm制程晶體管密度也才剛剛超過110MTr/mm²，三星的初代5nm制程晶體管密度更是只有112.79MTr/mm²。

換而言之，Intel去年使用的10nm二代工藝，就已經(jīng)與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手自稱“7nm”甚至“5nm”的水準(zhǔn)相當(dāng)。從這一點(diǎn)來說，Intel將他們未來的第三代10nm工藝僅僅“重命名”為Intel 7，甚至已經(jīng)可以說是很克制了。

不僅如此，縱觀此次Intel公布的多款“新工藝”不難發(fā)現(xiàn)，與其說這是在無奈之下選擇了順應(yīng)行業(yè)慣例，不如說他們反而是借機(jī)諷刺了一把行業(yè)亂象，并高調(diào)宣告了反擊時(shí)刻的到來。

比如說大家可能不知道的是，當(dāng)初臺(tái)積電的7nm EUV制程實(shí)際上只有一部分加工流程有用到極紫外（EUV）光刻機(jī)，并非完全的EUV工藝。而“Intel 7”不僅將會(huì)是Intel第一次使用EUV工藝，而且其打算從一開始就直接使用全EUV工藝，這就意味著在一些細(xì)節(jié)的工藝技術(shù)上，甚至已經(jīng)達(dá)到了臺(tái)積電和三星5nm的水準(zhǔn)。

又比如說大家可能已經(jīng)注意到，“Intel 7”的接班人被稱作“Intel 4”，而非業(yè)界通常認(rèn)為的“5nm”。這并非Intel有意在吹牛，而是因?yàn)?ldquo;Intel 4”的晶體管密度能夠達(dá)到200MTr/mm²甚至250MTr/mm²，遠(yuǎn)超出競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手5nm節(jié)點(diǎn)171.3MTr/mm²的晶體管密度。換而言之，“Intel 4（本質(zhì)上是Intel的7nm EUV制程）”的性能和技術(shù)水平，確實(shí)在其他廠商自稱的“5nm”之上。

不僅如此，關(guān)注手機(jī)行業(yè)的朋友可能知道，今年臺(tái)積電與三星的5nm制程多少都出現(xiàn)了過熱、性能降低的問題，并導(dǎo)致最終的產(chǎn)品體驗(yàn)甚至沒有比6nm甚至7nm好多少。但是根據(jù)Intel方面的說法，他們不會(huì)犯這種錯(cuò)誤，“Intel 7”的每瓦能效相比現(xiàn)有的第二代10nm制程，就確實(shí)能夠提供10%-15%的提升；“Intel 4”的能效比起“Intel 7”，不僅性能可以再上漲20%，同時(shí)還會(huì)縮小處理器的面積、有效降低成本；而再往后的“Intel 3”，則又會(huì)再度帶來18%左右的性能增加，同時(shí)不會(huì)造成功耗的上漲。

更不用說，Intel還公布了他們?cè)瓌?chuàng)設(shè)計(jì)的全新晶體管技術(shù)RibbonFET和新的晶體管布線方式PowerVia。其中，前者本質(zhì)上與臺(tái)積電及三星正在研發(fā)的3nm GAA晶體管大同小異，但后者就屬于Intel帶來的原創(chuàng)設(shè)計(jì)了。其將能夠大幅提升晶體管的布局密度，因此Intel才敢將他們2024年的制程命名為“20A”，也就是比（其他家的）“3nm”更加先進(jìn)的意思。

今年年底的Alder Lake就會(huì)是“Intel 7”制程首秀

不難看出，在此次宣布“制程改名”前，Intel實(shí)際上是玩了一手韜光養(yǎng)晦。先提前研發(fā)好足以用到2025年的一連串先進(jìn)制程工藝，再通過吸引眼球的“改名”，變相一下子扔出一堆大招。雖然這固然有那么一點(diǎn)點(diǎn)“狡猾”，但不可否認(rèn)的是，從半導(dǎo)體制程的硬實(shí)力上來看，Intel這一輪秀出的技術(shù)底蘊(yùn)及長(zhǎng)期的研發(fā)能力，還是叫人不得不服的。

本文來自微信公眾號(hào)“三易生活”（ID:IT-3eLife），作者：三易菌，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。